上篇推文我們講到了氮化鎵GaN是什么，那么今天這篇文章我們將跟大家分享GaN如何提高效率！
功率晶體管是造成開關(guān)電源功率損耗的主要因素之一。晶體管損耗通常分為兩類；傳導(dǎo)損耗和開關(guān)損耗。傳導(dǎo)損耗是指晶體管接通電流時引起的損耗，而開關(guān)損耗則是在開關(guān)狀態(tài)之間轉(zhuǎn)換時發(fā)生的損耗。
打開之后的GaN晶體管（和硅晶體管一樣）就像是設(shè)在漏源之間的電阻，通常表示為Ron，傳導(dǎo)損耗與此電阻成比例。GaN和其他WBG材料的主要優(yōu)勢是它們在擊穿電壓和Ron之間的關(guān)系。圖1顯示了硅、GaN和碳化硅(SiC，另外一種WBG材料)的這種關(guān)系的理論限值。可以看出，達(dá)到給定的擊穿電壓時，WBG設(shè)備的Ron遠(yuǎn)低于硅，GaN是三者當(dāng)中最低的。由于硅即將達(dá)到理論限值，要繼續(xù)提高Ron，就需要使用GaN和其他WBG材料。
圖1：Si、GaN和SiC晶體管的Ron相對于擊穿電壓的理論限值
除了改善傳導(dǎo)損耗之外，使用GaN還可以減少開關(guān)損耗。多種因素都會引發(fā)開關(guān)損耗，其中有幾種可以通過使用GaN加以改善。一種損耗機(jī)制是由于晶體管中的電流在漏源電壓開始下降之前就開始流動，如圖2所示。在此期間，損耗（等于電壓電流乘積）非常大。提高開關(guān)開啟的速度將降低轉(zhuǎn)換期間產(chǎn)生的損耗。GaN晶體管可以比硅晶體管更快開啟，所以能夠降低這種轉(zhuǎn)換造成的損耗。
圖2：開關(guān)轉(zhuǎn)換期間的漏電壓和電流波形
GaN降低開關(guān)損耗的另一種方法是不使用體二極管。為避免發(fā)生短路情況，半橋的兩個開關(guān)均斷開時會出現(xiàn)一個時間段，稱為“死區(qū)時間”。在此期間，電流繼續(xù)流動，但是由于兩個開關(guān)均已關(guān)閉，所以會迫使電流通過體二極管。體二極管開啟后的效率比硅晶體管的Ron電阻低得多。GaN晶體管沒有體二極管。原本流經(jīng)硅晶體管體二極管的電流反而會流經(jīng)Ron電阻。這顯著降低了死區(qū)時間內(nèi)產(chǎn)生的損耗。
由于硅晶體管的體二極管在死區(qū)時間內(nèi)導(dǎo)通，因此必須在打開另一個開關(guān)時將其關(guān)閉。在此期間，電流會在二極管關(guān)閉后反向流動，從而增加損耗。GaN晶體管中不存在體二極管，所以反向恢復(fù)損耗接近零。
當(dāng)前位置：
